US1KHE3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | US1KHE3_A/I |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
7500+ | $0.1195 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 800 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 800 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | US1K |
US1KHE3_A/I Einzelheiten PDF [English] | US1KHE3_A/I PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 800V 1A SMA-FS
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123FA
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() US1KHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|